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文献
J-GLOBAL ID：200902144399559034
整理番号：02A0501590
GaInAs中間層を使ったGaInNAs量子井戸の光ルミネセンスとレーザ発振特性
Indium Phosphide & Related Materials. Photoluminescence and Lasing Characteristics of GaInNAs Quantum Wells Using GaInAs Intermediate Layers.
KAWAGUCHI M
(Tokyo Inst. Technol., Yokohoma, JPN)
,
MIYAMOTO T
(Tokyo Inst. Technol., Yokohoma, JPN)
,
GOUARDES E
(Tokyo Inst. Technol., Yokohoma, JPN)
,
MINOBE S
(Tokyo Inst. Technol., Yokohoma, JPN)
,
KONDO T
(Tokyo Inst. Technol., Yokohoma, JPN)
,
KOYAMA F
(Tokyo Inst. Technol., Yokohoma, JPN)
,
IGA K
(Tokyo Inst. Technol., Yokohoma, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 41 号： 2B ページ： 1034-1039 発行年： 2002年02月28日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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