文献
J-GLOBAL ID:200902144576397449
整理番号:93A0308273
化学ビームエピタクシー(CBE)によって成長させたGaInAsP/InP多重量子障壁(MQB)
GaInAsP/InP Multi-Quantum Barrier (MQB) Grown by Chemical Beam Epitaxy (CBE).
著者 (6件):
INABA Y
(Tokyo Inst. Technology, Yokohama)
,
UCHIDA T
(Tokyo Inst. Technology, Yokohama)
,
YOKOUCHI N
(Tokyo Inst. Technology, Yokohama)
,
MIYAMOTO T
(Tokyo Inst. Technology, Yokohama)
,
KOYAMA F
(Tokyo Inst. Technology, Yokohama)
,
IGA K
(Tokyo Inst. Technology, Yokohama)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻:
32
号:
2
ページ:
760-761
発行年:
1993年02月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)