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文献
J-GLOBAL ID：200902144682317551
整理番号：00A0437039
サファイア上にプラズマ誘起分子線エピタクシー法および有機金属化学蒸着法で成長させたGa面およびN面AlGaN/GaNヘテロ構造における二次元電子ガス
Two-dimensional electron gases in Ga-face and N-face AlGaN/GaN heterostructures grown by plasma-induced molecular beam epitaxy and metalorganic chemical vapor deposition on sapphire.
DIMITROV R
(Cornell Univ., New York)
,
MURPHY M
(Cornell Univ., New York)
,
SMART J
(Cornell Univ., New York)
,
SCHAFF W
(Cornell Univ., New York)
,
SHEALY J R
(Cornell Univ., New York)
,
EASTMAN L F
(Cornell Univ., New York)
,
AMBACHER O
(TU Munich, Garching, DEU)
,
STUTZMANN M
(TU Munich, Garching, DEU)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 87 号： 7 ページ： 3375-3380 発行年： 2000年04月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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