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文献
J-GLOBAL ID：200902144694034423
整理番号：03A0088357
新しい巨大磁気抵抗薄膜不揮発性抵抗ランダムアクセスメモリ(RRAM)
Novell Colossal Magnetoresistive Thin Film Nonvolatile Resistance Random Access Memory (RRAM).
ZHUANG W W
(Sharp Lab. America, WA, USA)
,
PAN W
(Sharp Lab. America, WA, USA)
,
HSU S T
(Sharp Lab. America, WA, USA)
,
TAJIRI M
(Sharp Corp., Nara, JPN)
,
SHIMAOKA A
(Sharp Corp., Nara, JPN)
,
SAKIYAMA K
(Sharp Corp., Nara, JPN)
,
WANG Y
(Univ. Houston, Texas, USA)
,
LIU S Q
(Univ. Houston, Texas, USA)
,
IGNATIEV A
(Univ. Houston, Texas, USA)
資料名：
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2002 ページ： 193-196 発行年： 2002年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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