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文献
J-GLOBAL ID：200902144694065620
整理番号：97A0572025
W/WNx/ポリシリコンゲート電極およびTiケイ化ソース/ドレイン拡散を用いた新しい0.15μm CMOS技術
A Novel 0.15μm CMOS Technology using W/WNx/Polysilicon Gate Electrode and Ti Silicided Source/Drain Diffusions.
TAKAGI M T
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
MIYASHITA K
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
KOYAMA H
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
NAKAJIMA K
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
MIYANO K
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
AKASAKA Y
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
YOSHIMURA H
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
SUGURO K
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
ISHIUCHI H
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
資料名：
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 1996 ページ： 455-458 発行年： 1996年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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