文献
J-GLOBAL ID:200902144704731225
整理番号:93A0811227
GaAs(100)の有機金属化学蒸着中における単層テラストポグラフィーの発展
Evolution of monolayer terrace topography during metalorganic chemical vapor deposition of (100) GaAs.
著者 (2件):
EPLER J E
(Paul Scherrer Inst. Zurich, Zurich, CHE)
,
SCHWEIZER H P
(Paul Scherrer Inst. Zurich, Zurich, CHE)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
63
号:
9
ページ:
1228-1230
発行年:
1993年08月30日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)