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文献
J-GLOBAL ID：200902144714311097
整理番号：97A0508865
極薄ゲート酸化膜を持つn型MOSFETの反転層からの電子トンネル電流の量子力学的モデル化
Quantum-Mechanical Modeling of Electron Tunneling Current from the Inversion Layer of Ultra-Thin-Oxide nMOSFET’s.
LO S-H
(IBM Thomas J. Watson Res. Center, NY, USA)
,
BUCHANAN D A
(IBM Thomas J. Watson Res. Center, NY, USA)
,
TAUR Y
(IBM Thomas J. Watson Res. Center, NY, USA)
,
WANG W
(IBM Thomas J. Watson Res. Center, NY, USA)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 18 号： 5 ページ： 209-211 発行年： 1997年05月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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