文献
J-GLOBAL ID:200902144717687365
整理番号:93A0367205
薄膜SOI・MOSFETに対するドーピング濃度と界面電荷の決定
Determination of doping concentration and interface charges for thin film SOI MOSFETs.
著者 (2件):
PARK S-K
(Korea Advanced Inst. Science and Technology, Taejon, KOR)
,
KIM C-K
(Korea Advanced Inst. Science and Technology, Taejon, KOR)
資料名:
Solid-State Electronics
(Solid-State Electronics)
巻:
36
号:
5
ページ:
735-740
発行年:
1993年05月
JST資料番号:
H0225A
ISSN:
0038-1101
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)