文献
J-GLOBAL ID:200902144779843517
整理番号:93A0400832
薄膜nチャネルSOI-MOSFETのターンオフ期間中の異常な電圧オーバシュート
Anomalous Voltage Overshoot During Turn-Off of Thin-Film n-Channel SOI MOSFET’s.
著者 (3件):
DUBOIS E
(IBM Research Division, NY)
,
SHAHIDI G G
(IBM Research Division, NY)
,
SCHEUERMANN M R
(IBM Research Division, NY)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
14
号:
4
ページ:
164-166
発行年:
1993年04月
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)