文献
J-GLOBAL ID:200902144847909599
整理番号:99A0478488
熱酸化とPECVDにより成長したC+打ち込みSiO2膜の異なる発光特性
Different luminescent properties of C+-implanted SiO2 films grown by thermal oxidation and PECVD.
著者 (7件):
ZHAO J
(Shanghai Inst. Metallurgy, Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN)
,
MAO D S
(Shanghai Inst. Metallurgy, Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN)
,
LIN Z X
(Shanghai Inst. Metallurgy, Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN)
,
JIANG B Y
(Shanghai Inst. Metallurgy, Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN)
,
YU Y H
(Shanghai Inst. Metallurgy, Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN)
,
LIU X H
(Shanghai Inst. Metallurgy, Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN)
,
YANG G Q
(Shanghai Inst. Metallurgy, Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN)
資料名:
Materials Letters
(Materials Letters)
巻:
38
号:
5
ページ:
321-325
発行年:
1999年03月
JST資料番号:
E0935A
ISSN:
0167-577X
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)