前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：200902144962529554
整理番号：99A0262351
無機低温熱化学蒸着により成長させた窒化タンタル膜 銅金属化における拡散バリア特性
Tantalum Nitride Films Grown by Inorganic Low Temperature Thermal Chemical Vapor Deposition. Difusion Barrire Properties in Copper Metallization.
KALOYEROS A E
(SUNY, New York, USA)
,
CHEN X
(SUNY, New York, USA)
,
STARK T
(SUNY, New York, USA)
,
KUMAR K
(SUNY, New York, USA)
,
SEO S-C
(SUNY, New York, USA)
,
PETERSON G G
(SUNY, New York, USA)
,
FRISCH H L
(SUNY, New York, USA)
,
ARKLES B
(Gelest Inc., Pennsylvania, USA)
,
SULLIVAN J
(MKS Instrument Inc., Massachusetts, USA)
資料名：
Journal of the Electrochemical Society
(Journal of the Electrochemical Society)
巻： 146 号： 1 ページ： 170-176 発行年： 1999年01月
JST資料番号： C0285A ISSN： 1945-7111 CODEN： JESOAN 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。