文献
J-GLOBAL ID:200902145059606662
整理番号:93A0395761
シリコン中のボイドおよび欠陥と化学結合した水素の赤外分光
Infrared spectroscopy of chemically bonded hydrogen at voids and defects in silicon.
著者 (3件):
STEIN H J
(Sandia National Lab., New Mexico)
,
MYERS S M
(Sandia National Lab., New Mexico)
,
FOLLSTAEDT D M
(Sandia National Lab., New Mexico)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
73
号:
6
ページ:
2755-2764
発行年:
1993年03月15日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)