文献
J-GLOBAL ID:200902145073220130
整理番号:96A0624881
ジメチルヒドラジンを窒素源に用いた有機金属化学気相成長法によるサファイア上のGaN膜の作製
Preparation of GaN films on sapphire by metalorganic chemical vapor deposition using dimethylhydrazine as nitrogen source.
著者 (4件):
SATO H
(Pioneer Electronic Corp., Saitama, JPN)
,
TAKAHASHI H
(Pioneer Electronic Corp., Saitama, JPN)
,
WATANABE A
(Pioneer Electronic Corp., Saitama, JPN)
,
OTA H
(Pioneer Electronic Corp., Saitama, JPN)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
68
号:
25
ページ:
3617-3619
発行年:
1996年06月17日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)