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文献
J-GLOBAL ID：200902145110208960
整理番号：00A0908658
低温度依存性の圧縮歪InGaAsP活性領域(λ=0.78~0.85μm)のダイオードレーザ
Low-Temperature Sensitive, Compressively Strained InGaAsP Active (λ=0.78-0.85μm) Region Diode Lasers.
TANSU N
(Univ. Wisconsin-Madison, WI, USA)
,
ZHOU D
,
MAWST L J
(Univ. Wisconsin-Madison, WI, USA)
資料名：
IEEE Photonics Technology Letters
(IEEE Photonics Technology Letters)
巻： 12 号： 6 ページ： 603-605 発行年： 2000年06月
JST資料番号： T0721A ISSN： 1041-1135 CODEN： IPTLEL 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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