文献
J-GLOBAL ID:200902145162014668
整理番号:98A0950502
S位(100)基板上にBi2SiO5バッファ層を用いたBi4Ti3O12薄膜の作製とその電気特性
Preparation of Bi4Ti3O12 Thin Film on Si(100) Substrate Using Bi2SiO5 Buffer Layer and Its Electric Characterization.
著者 (2件):
KIJIMA T
(SHARP Corp., Chiba, JPN)
,
MATSUNAGA H
(SHARP Corp., Chiba, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻:
37
号:
9B
ページ:
5171-5173
発行年:
1998年09月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)