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文献
J-GLOBAL ID：200902145162178571
整理番号：01A0690540
GaAs-AlGaAsの無ひ素の高温表面浄化における二段階の加熱シーケンス
Two-step-heating sequence in arsenic-free high-temperature surface cleaning method for GaAs-AlGaAs MBE.
IIZUKA K
(Nippon Inst. Technol., Saitama, JPN)
,
SAKAMAKI Y
(Nippon Inst. Technol., Saitama, JPN)
,
SUZUKI T
(Nippon Inst. Technol., Saitama, JPN)
,
OKAMOTO H
(Chiba Univ., Chiba, JPN)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 227/228 ページ： 41-45 発行年： 2001年07月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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