文献
J-GLOBAL ID:200902145310837547
整理番号:01A0862304
フィールドプレートを用いたAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタにおける降伏電圧増大
Enhancement of Breakdown Voltage in AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors Using a Field Plate.
著者 (2件):
KARMALKAR S
(Indian Inst. Technol., Madras, IND)
,
MISHRA U K
(Univ. California, CA, USA)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
48
号:
8
ページ:
1515-1521
発行年:
2001年08月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)