文献
J-GLOBAL ID:200902145380691396
整理番号:94A0852586
急峻でない半導体ヘテロ構造を通過するキャリヤの透過率を計算する新しい解析的方法
A new analytical method for the calculation of the transmission coefficient of carriers through non-abrupt semiconductor heterostructures.
著者 (4件):
DE CARVALHO R R L
(Univ. Federal do Cear<span style=text-decoration:overline>a ́</span>, Cear<span style=text-decoration:overline>a ́</span>, BRA)
,
FREIRE V N
(Univ. Federal do Cear<span style=text-decoration:overline>a ́</span>, Cear<span style=text-decoration:overline>a ́</span>, BRA)
,
AUTO M M
(Univ. Federal do Cear<span style=text-decoration:overline>a ́</span>, Cear<span style=text-decoration:overline>a ́</span>, BRA)
,
FARIAS G A
(Univ. Federal do Cear<span style=text-decoration:overline>a ́</span>, Cear<span style=text-decoration:overline>a ́</span>, BRA)
資料名:
Superlattices and Microstructures
(Superlattices and Microstructures)
巻:
14
号:
2/3
ページ:
221-226
発行年:
1993年
JST資料番号:
D0600B
ISSN:
0749-6036
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)