文献
J-GLOBAL ID:200902145459209190
整理番号:93A0689118
有機金属化学気相選択成長法によるGaAs量子細線(~10nm)の形成
Fabrication of GaAs quantum wires (~10 nm) by metalorganic chemical vapor selective deposition growth.
著者 (4件):
TSUKAMOTO S
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
NAGAMUNE Y
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
NISHIOKA M
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
ARAKAWA Y
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
63
号:
3
ページ:
355-357
発行年:
1993年07月19日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)