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文献
J-GLOBAL ID：200902145460679249
整理番号：96A0602609
BCl3/SF6プラズマを用いたGaNの反応性イオンエッチング
Reactive ion etching of GaN with BCl3/SF6 plasmas.
FENG M S
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
GUO J D
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
LU Y M
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
CHANG E Y
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
資料名：
Materials Chemistry and Physics
(Materials Chemistry and Physics)
巻： 45 号： 1 ページ： 80-83 発行年： 1996年07月
JST資料番号： E0934A ISSN： 0254-0584 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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