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文献
J-GLOBAL ID：200902145529961723
整理番号：01A0486626
水素化アモルファスシリコンにおける電子スピン共鳴と定光電流法による欠陥密度の関係
Relation between Electron-Spin-Resonance and Constant-Photocurrent-Method Defect Densities in Hydrogenated Amorphous Silicon.
SHIMIZU T
(Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN)
,
SHIMADA M
(Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN)
,
SUGIYAMA H
(Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN)
,
KUMEDA M
(Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 40 号： 1 ページ： 54-58 発行年： 2001年01月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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