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文献
J-GLOBAL ID：200902145541110917
整理番号：93A0697036
異なるGe濃度を有するSi1-xGex合金層のCoSi2のイオンビーム合成
Ion beam synthesis of CoSi2 in Si1-xGex alloy layers with different Ge concentrations.
LAUWERS A
(IMEC, Leuven, BEL)
,
MAEX K
(IMEC, Leuven, BEL)
,
VANHELLEMONT J
(IMEC, Leuven, BEL)
,
CAYMAX M
(IMEC, Leuven, BEL)
,
POORTMANS J
(IMEC, Leuven, BEL)
,
VAN ROSSUM M
(IMEC, Leuven, BEL)
資料名：
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms
(Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms)
巻： 80/81 号： Pt 2 ページ： 906-909 発行年： 1993年06月
JST資料番号： H0899A ISSN： 0168-583X 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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