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文献
J-GLOBAL ID：200902145541799303
整理番号：97A0655628
結晶性シリコン中の真性点欠陥 自己拡散,格子間原子-空格子点再結合および形成体積に関するタイト-バインディング分子動力学
Intrinsic point defects in crystalline silicon: Tight-binding molecular dynamics studies of self-diffusion, interstitial-vacancy recombination, and formation volumes.
TANG M
(Lawrence Livermore National Lab., California)
,
COLOMBO L
(Univ. Milano, Milano, ITA)
,
ZHU J
(Lawrence Livermore National Lab., California)
,
DE LA RUBIA T D
(Lawrence Livermore National Lab., California)
資料名：
Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics
(Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 55 号： 21 ページ： 14279-14289 発行年： 1997年06月01日
JST資料番号： D0746A ISSN： 1098-0121 CODEN： PRBMDO 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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