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文献
J-GLOBAL ID：200902145575599745
整理番号：98A0793846
(111)スピネル基板上の(001)GaN薄膜のエピタキシャル方位と成長モデル
Epitaxial orientation and a growth model of (00 1)GaN thin film on (111) spinel substrate.
OHSATO H
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
,
KATO T
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
,
KOKETSU S
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
,
SAXENA R D
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
,
OKUDA T
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 189/190 ページ： 202-207 発行年： 1998年06月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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