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文献
J-GLOBAL ID：200902145640245590
整理番号：00A0651201
誘導結合プラズマエッチングで作製した半導体/空気分布Bragg反射器を用いた低しきい値GaInAsPレーザ
Low Threshold GaInAsP Lasers with Semiconductor/Air Distributed Bragg Reflector Fabricated by Inductively Coupled Plasma Etching.
ARIGA M
(Yokohama National Univ., Yokohama, JPN)
,
SEKIDO Y
(Yokohama National Univ., Yokohama, JPN)
,
SAKAI A
(Yokohama National Univ., Yokohama, JPN)
,
BABA T
(Yokohama National Univ., Yokohama, JPN)
,
MATSUTANI A
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
KOYAMA F
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
IGA K
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 39 号： 6A ページ： 3406-3409 発行年： 2000年06月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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