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文献
J-GLOBAL ID：200902145691069354
整理番号：02A0173252
高kゲート誘電体に関するエネルギーバンド整列及びギャップ状態密度分布の光電子放出研究
Photoemission study of energy-band alignments and gap-state density distributions for high-k gate dielectrics.
MIYAZAKI S
(Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN)
資料名：
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻： 19 号： 6 ページ： 2212-2216 発行年： 2001年11月
JST資料番号： E0974A ISSN： 1071-1023 CODEN： JVTBD9 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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