文献
J-GLOBAL ID:200902145734943584
整理番号:95A0498266
サファイアのC面とA面の双方に形成したGaN膜特性に及ぼすGaNとAlNバッファ層の効果
The Effect of GaN and AlN Buffer Layers on GaN Film Properties Grown on Both C-Plane and A-Plane Sapphire.
著者 (4件):
DOVERSPIKE K
(Naval Res. Lab., Washington, D.C.)
,
ROWLAND L B
(Naval Res. Lab., Washington, D.C.)
,
GASKILL D K
(Naval Res. Lab., Washington, D.C.)
,
FREITAS J A JR
(Sachs Freeman Assoc., MD)
資料名:
Journal of Electronic Materials
(Journal of Electronic Materials)
巻:
24
号:
4
ページ:
269-273
発行年:
1995年04月
JST資料番号:
D0277B
ISSN:
0361-5235
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)