文献
J-GLOBAL ID:200902145739615984
整理番号:93A0526018
Indium surface segregation in strained GaInAs quantum wells grown on GaAs by MBE.
著者 (5件):
NAGLE J
(Thomson-CSF, Orsay, FRA)
,
LANDESMAN J P
(Thomson-CSF, Orsay, FRA)
,
LARIVE M
(Thomson-CSF, Orsay, FRA)
,
MOTTET C
(Thomson-CSF, Orsay, FRA)
,
BOIS P
(Thomson-CSF, Orsay, FRA)
資料名:
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻:
127
号:
1/4
ページ:
550-554
発行年:
1993年02月
JST資料番号:
B0942A
ISSN:
0022-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)