文献
J-GLOBAL ID:200902145864117937
整理番号:93A0508065
SiH4ガスを用いた化学蒸着におけるフラッシュ加熱で制御したシリコンの原子層成長
Silicon atomic layer growth controlled by flash heating in chemical vapor deposition using SiH4 gas.
著者 (3件):
MUROTA J
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
SAKURABA M
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
ONO S
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
62
号:
19
ページ:
2353-2355
発行年:
1993年05月10日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)