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文献
J-GLOBAL ID：200902145878771222
整理番号：01A0016979
シランのグロー放電プラズマにおける電子温度への高次のシラン形成の効果
Effect of higher-silane formation on electron temperature in a silane glow-discharge plasma.
TAKAI M
(Thin Film Silicon Solar Super Lab., Ibaraki, JPN)
,
NISHIMOTO T
(Thin Film Silicon Solar Super Lab., Ibaraki, JPN)
,
KONDO M
(Thin Film Silicon Solar Super Lab., Ibaraki, JPN)
,
MATSUDA A
(Thin Film Silicon Solar Super Lab., Ibaraki, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 77 号： 18 ページ： 2828-2830 発行年： 2000年10月30日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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