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文献
J-GLOBAL ID：200902145921545894
整理番号：02A0667224
Si(100)上にナノラミネートしたAl2O3-HfO2の誘電特性
Dielectric characteristics of Al2O3-HfO2 nanolaminates on Si(100).
CHO M-H
(Yonsei Univ., Seoul, KOR)
,
ROH Y S
(Yonsei Univ., Seoul, KOR)
,
JEONG K
(Yonsei Univ., Seoul, KOR)
,
CHOI H J
(Yonsei Univ., Seoul, KOR)
,
NAM S W
(Yonsei Univ., Seoul, KOR)
,
KO D-H
(Yonsei Univ., Seoul, KOR)
,
LEE J H
(Samsung Electronics Co., Ltd., Kyunggi-Do, KOR)
,
LEE N I
(Samsung Electronics Co., Ltd., Kyunggi-Do, KOR)
,
FUJIHARA K
(Samsung Electronics Co., Ltd., Kyunggi-Do, KOR)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 81 号： 6 ページ： 1071-1073 発行年： 2002年08月05日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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