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文献
J-GLOBAL ID：200902145947839977
整理番号：96A0797041
大容量記憶装置用3.3V・128Mb多値NANDフラッシュメモリ
TP 2.1: A 3.3V 128Mb Multi-Level NAND Flash Memory for Mass Storage Applications.
JUNG T-S
(Samsung Electronics Co., Ltd., Kiheung, KOR)
,
CHOI Y-J
(Samsung Electronics Co., Ltd., Kiheung, KOR)
,
SUH K-D
(Samsung Electronics Co., Ltd., Kiheung, KOR)
,
KIM J-K
(Samsung Electronics Co., Ltd., Kiheung, KOR)
,
LIM Y-H
(Samsung Electronics Co., Ltd., Kiheung, KOR)
,
KOH Y-N
(Samsung Electronics Co., Ltd., Kiheung, KOR)
,
KIM J-R
(Samsung Electronics Co., Ltd., Kiheung, KOR)
,
LEE J-H
(Samsung Electronics Co., Ltd., Kiheung, KOR)
,
LIM H-K
(Samsung Electronics Co., Ltd., Kiheung, KOR)
資料名：
Digest of Technical Papers. IEEE International Solid-State Circuits Conference
(Digest of Technical Papers. IEEE International Solid-State Circuits Conference)
巻： 39 ページ： 32-33,412 発行年： 1996年02月
JST資料番号： D0753A ISSN： 0193-6530 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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