文献
J-GLOBAL ID:200902145957907563
整理番号:98A0861431
最適な組み合わせのトレンチ充填CVD酸化物を用いたディープサブミクロン完全CMOSデバイスにおける応力の最小化
Stress Minimization in Deep Sub-Micron Full CMOS Devices by Using an Optimized Combination of the Trench Filling CVD Oxides.
著者 (9件):
PARK M H
(Samsung Electronics Co., Ltd., Kyonggi-Do, KOR)
,
HONG S H
(Samsung Electronics Co., Ltd., Kyonggi-Do, KOR)
,
HONG S J
(Samsung Electronics Co., Ltd., Kyonggi-Do, KOR)
,
PARK T
(Samsung Electronics Co., Ltd., Kyonggi-Do, KOR)
,
PARK J H
(Samsung Electronics Co., Ltd., Kyonggi-Do, KOR)
,
KIM H S
(Samsung Electronics Co., Ltd., Kyonggi-Do, KOR)
,
SHIN Y G
(Samsung Electronics Co., Ltd., Kyonggi-Do, KOR)
,
KANG H K
(Samsung Electronics Co., Ltd., Kyonggi-Do, KOR)
,
LEE M Y
(Samsung Electronics Co., Ltd., Kyonggi-Do, KOR)
資料名:
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻:
1997
ページ:
669-672
発行年:
1997年
JST資料番号:
C0829B
ISSN:
0163-1918
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)