文献
J-GLOBAL ID:200902146003338041
整理番号:01A0835760
プラズマ増強化学蒸着により作製した超低k誘電体
Ultralow-k dielectrics prepared by plasma-enhanced chemical vapor deposition.
著者 (2件):
GRILL A
(IBM Res. Div., New York)
,
PATEL V
(IBM Res. Div., New York)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
79
号:
6
ページ:
803-805
発行年:
2001年08月06日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)