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文献
J-GLOBAL ID：200902146058590718
整理番号：99A0549356
連続帯状態の存在に基づいたInGaAs/GaAs自己形成量子ドットの効率が良いキャリア緩和機構
Efficient Carrier Relaxation Mechanism in InGaAs/GaAs Self-Assembled Quantum Dots Based on the Existence of Continuum States.
TODA Y
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
MORIWAKI O
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
NISHIOKA M
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
ARAKAWA Y
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名：
Physical Review Letters
(Physical Review Letters)
巻： 82 号： 20 ページ： 4114-4117 発行年： 1999年05月17日
JST資料番号： H0070A ISSN： 0031-9007 CODEN： PRLTAO 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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