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文献
J-GLOBAL ID：200902146354084925
整理番号：02A0191174
H2とN2の混合キャリアガスを用いた,水素化物気相エピタクシーによりエピタキシャル横方向成長したGaNにおける貫通転位の分布
Distribution of Threading Dislocations in Epitaxial Lateral Overgrowth GaN by Hydride Vapor-Phase Epitaxy Using Mixed Carrier Gas of H2 and N2.
BOHYAMA S
(Mie Univ., Mie, JPN)
,
YOSHIKAWA K
(Mie Univ., Mie, JPN)
,
NAOI H
(Mie Univ., Mie, JPN)
,
MIYAKE H
(Mie Univ., Mie, JPN)
,
HIRAMATSU K
(Mie Univ., Mie, JPN)
,
IYECHIKA Y
(Sumitomo Chemical Co., Ltd., Ibaraki, JPN)
,
MAEDA T
(Sumitomo Chemical Co., Ltd., Ibaraki, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 41 号： 1 ページ： 75-76 発行年： 2002年01月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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