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文献
J-GLOBAL ID：200902146514034369
整理番号：02A0493928
有機金属化学気相成長によって積層させたランタン酸化物とシリコン基板の界面反応
Interface Reaction of a Silicon Substrate and Lanthanum Oxide Films Deposited by Metalorganic Chemical Vapor Deposition.
YAMADA H
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
SHIMIZU T
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
SUZUKI E
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 41 号： 4A ページ： L368-L370 発行年： 2002年04月01日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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