文献
J-GLOBAL ID:200902146530865505
整理番号:93A0660936
Si中のミスフィット転位の再結合活性
Recombination Activity of Misfit Dislocations in Silicon.
著者 (3件):
KITTLER M
(Inst. Halbleiterphysik, Frankfurt (Oder))
,
SEIFERT W
(Inst. Halbleiterphysik, Frankfurt (Oder))
,
HIGGS V
(King’s Coll. London)
資料名:
Physica Status Solidi. A. Applied Research
(Physica Status Solidi. A. Applied Research)
巻:
137
号:
2
ページ:
327-335
発行年:
1993年06月16日
JST資料番号:
D0774A
ISSN:
0031-8965
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
ドイツ (DEU)
言語:
英語 (EN)