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文献
J-GLOBAL ID:200902146587535927   整理番号:02A0372797

Si基板上のHfO2膜のエッチング特性

Etch characteristics of HfO2 films on Si substrates.
著者 (9件):
NORASETTHEKUL S
(Univ. Florida, FL, USA)
PARK P Y
(Univ. Florida, FL, USA)
BAIK K H
(Univ. Florida, FL, USA)
LEE K P
(Univ. Florida, FL, USA)
SHIN J H
(Univ. Florida, FL, USA)
JEONG B S
(Univ. Florida, FL, USA)
SHISHODIA V
(Univ. Florida, FL, USA)
NORTON D P
(Univ. Florida, FL, USA)
PEARTON S J
(Univ. Florida, FL, USA)

資料名:
Applied Surface Science  (Applied Surface Science)

巻: 187  号: 1/2  ページ: 75-81  発行年: 2002年02月14日 
JST資料番号: B0707B  ISSN: 0169-4332  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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