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文献
J-GLOBAL ID：200902146587535927
整理番号：02A0372797
Si基板上のHfO2膜のエッチング特性
Etch characteristics of HfO2 films on Si substrates.
NORASETTHEKUL S
(Univ. Florida, FL, USA)
,
PARK P Y
(Univ. Florida, FL, USA)
,
BAIK K H
(Univ. Florida, FL, USA)
,
LEE K P
(Univ. Florida, FL, USA)
,
SHIN J H
(Univ. Florida, FL, USA)
,
JEONG B S
(Univ. Florida, FL, USA)
,
SHISHODIA V
(Univ. Florida, FL, USA)
,
NORTON D P
(Univ. Florida, FL, USA)
,
PEARTON S J
(Univ. Florida, FL, USA)
資料名：
Applied Surface Science
(Applied Surface Science)
巻： 187 号： 1/2 ページ： 75-81 発行年： 2002年02月14日
JST資料番号： B0707B ISSN： 0169-4332 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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