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文献
J-GLOBAL ID：200902146682975900
整理番号：97A0693979
MBE法により成長させたエレクトロルミネセンス薄膜SrGa2S4:Ceにおける青色発光と結晶学的特性に対するCe濃度依存性
Dependence on Ce Concentration of Blue Emission and Crystallographic Properties in SrGa2S4:Ce Electroluminescent Thin Films Grown by Molecular Beam Epitaxy.
TANAKA K
(NHK Sci. and Technical Res. Lab., Tokyo, JPN)
,
INOUE Y
(NHK Sci. and Technical Res. Lab., Tokyo, JPN)
,
OKAMOTO S
(NHK Sci. and Technical Res. Lab., Tokyo, JPN)
,
KOBAYASHI K
(NHK Sci. and Technical Res. Lab., Tokyo, JPN)
,
TAKIZAWA K
(NHK Sci. and Technical Res. Lab., Tokyo, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 36 号： 6A ページ： 3517-3521 発行年： 1997年06月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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