文献
J-GLOBAL ID:200902146866249063
整理番号:00A0479632
エキシマレーザ結晶化低温ポリシリコンTFTの移動度増大限界
Limit of the Mobility Enhancement of the Excimer-Laser-Crystallized Low-Temperature Poly-Si TFTs.
著者 (2件):
HARA A
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
,
SASAKI N
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
資料名:
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻:
1999
ページ:
301-304
発行年:
1999年
JST資料番号:
C0829B
ISSN:
0163-1918
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)