文献
J-GLOBAL ID:200902146915126681
整理番号:93A0395762
ひ化ガリウムへの炭素イオン注入
Carbon implanted into gallium arsenide.
著者 (1件):
VAN BERLO W H
(Swedish Inst. Microelectronics, Kista, SWE)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
73
号:
6
ページ:
2765-2769
発行年:
1993年03月15日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)