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文献
J-GLOBAL ID：200902147187131734
整理番号：01A0862308
高密度Krプラズマ中で発生した酸素ラジカルによる高信頼性極薄シリコン酸化膜の低温形成
Highly Reliable Ultrathin Silicon Oxide Film Formation at Low Temperature by Oxygen Radical Generated in High-Density Krypton Plasma.
SEKINE K
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
SAITO Y
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
HIRAYAMA M
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
OHMI T
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 48 号： 8 ページ： 1550-1555 発行年： 2001年08月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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