文献
J-GLOBAL ID:200902147217926524
整理番号:95A0484906
マイクロエレクトロニクスにおけるけい化物薄膜とその応用
Silicide thin films and their applications in microelectronics.
著者 (1件):
MURARKA S P
(Rensselaer Polytechnic Inst., NY, USA)
資料名:
Intermetallics
(Intermetallics)
巻:
3
号:
3
ページ:
173-186
発行年:
1995年
JST資料番号:
W0672A
ISSN:
0966-9795
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
文献レビュー
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)