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文献
J-GLOBAL ID：200902147251309780
整理番号：00A0059470
希釈された酸化物磁性半導体 MnをドープしたZnO
An oxide-diluted magnetic semiconductor: Mn-doped ZnO.
FUKUMURA T
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
JIN Z
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
OHTOMO A
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
KOINUMA H
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
KAWASAKI M
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 75 号： 21 ページ： 3366-3368 発行年： 1999年11月22日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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