文献
J-GLOBAL ID:200902147398714957
整理番号:03A0179926
多ゲートSOI MOSFET デバイス設計のガイドライン
Multiple-Gate SOI MOSFETs: Device Design Guidelines.
著者 (2件):
PARK J-T
(Univ. Incheon, Incheon, KOR)
,
COLINGE J-P
(Univ. California, CA, USA)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
49
号:
12
ページ:
2222-2229
発行年:
2002年12月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)