文献
J-GLOBAL ID:200902147477127374
整理番号:99A0420140
銅BEOLを使用した高性能0.18μm論理回路技術へのトレンチ型DRAMの集積化
Integration of Trench DRAM into a High-Performance 0.18μm Logic Technology with Copper BEOL.
著者 (9件):
CROWDER S
(IBM Microelectronics Div., NY)
,
HANNON R
(IBM Microelectronics Div., NY)
,
HO H
(IBM Microelectronics Div., NY)
,
SINITSKY D
(IBM Microelectronics Div., NY)
,
WU S
(IBM Microelectronics Div., NY)
,
WINSTEL K
(IBM Microelectronics Div., NY)
,
KHAN B
(IBM Microelectronics Div., NY)
,
STIFFLER S R
(IBM Microelectronics Div., NY)
,
IYER S S
(IBM Microelectronics Div., NY)
資料名:
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻:
1998
ページ:
1017-1020
発行年:
1998年
JST資料番号:
C0829B
ISSN:
0163-1918
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)