文献
J-GLOBAL ID:200902147519379298
整理番号:01A0200944
小さい界面島状構造によるSiの層毎の酸化に関する現象論的理論
Phenomenological Theory on Si Layer-by-Layer Oxidation with Small Interfacial Islands.
著者 (3件):
SHIRAISHI K
(NTT Basic Res. Lab., Atsugi, JPN)
,
KAGESHIMA H
(NTT Basic Res. Lab., Atsugi, JPN)
,
UEMATSU M
(NTT Basic Res. Lab., Atsugi, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻:
39
号:
12B
ページ:
L1263-L1266
発行年:
2000年12月15日
JST資料番号:
F0599B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)