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文献
J-GLOBAL ID：200902147673591640
整理番号：93A0774446
分子ビームエピタクシーによりGaAs(110)上に成長したInAs膜の形態と非対称歪緩和挙動
The morphology and asymmetric strain relief behaviour of InAs films on GaAs (110) grown by molecular beam epitaxy.
ZHANG X
(Imperial Coll., London, GBR)
,
PASHLEY D W
(Imperial Coll., London, GBR)
,
HART L
(Imperial Coll., London, GBR)
,
NEAVE J H
(Imperial Coll., London, GBR)
,
FAWCETT P N
(Imperial Coll., London, GBR)
,
JOYCE B A
(Imperial Coll., London, GBR)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 131 号： 3/4 ページ： 300-308 発行年： 1993年08月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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