文献
J-GLOBAL ID:200902147698331430
整理番号:97A0902422
触媒化学蒸着系でNH3分解種を利用したシリコン表面の低温窒化
Low-temperature nitridation of silicon surface using NH3-decomposed species in a catalytic chemical vapor deposition system.
著者 (2件):
IZUMI A
(JAIST(Japan Advanced Inst. Sci. and Technol.), Ishikawa, JPN)
,
MATSUMURA H
(JAIST(Japan Advanced Inst. Sci. and Technol.), Ishikawa, JPN)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
71
号:
10
ページ:
1371-1372
発行年:
1997年09月08日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)